国产高德红外
3551企业高德红外近日发布公告称，国家技术转移中部中心组织行业专家对其“1280×1024规模、12μm像元尺寸的碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器”项目进行了评价。这款产品的诞生是我国制冷红外探测器芯片领域的一个重大技术突破，打破了西方发达国家对我国高端红外核心芯片领域的技术封锁，必将成为中华国防的一道利刃，让我国高端军用红外系统迈入高清时代，使各类光电吊舱、光电雷达、机载告警系统、分布式孔径系统、搜索跟踪系统、星载多光谱侦查系统等高端军事应用装备性能再上新台阶。
作为各种军用光电综合系统的核心部件，通过了国家科技成果评价的高德红外自研1280×1024@12μm碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器，在本届中津防务展上正式亮相。这是高德红外继掌握非制冷1280 x 1024@12μm红外探测器芯片研制技术后，在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破。为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍，打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代，评价专家组一致认为该成果整体达到行业先进水平，具备红外探测器产业化的基础，建议进一步加快延伸开发及推广应用。
国产1280×1024、12μm像元尺寸的制冷型探测器主要性能指标达到或优于国际同类产品指标，其芯片面阵大小、最小像元间距、最小噪声等效温差等指标都代表着我国制冷型红外探测器芯片研发与制造的最高水平，大幅度提升了红外热成像系统的空间分辨率，提高了探测、识别作用距离，大力推动了红外焦平面探测器芯片技术朝大面阵规格、小像元尺寸方向发展，为我国关键基础材料和核心元器件技术的快速发展提供重要保障。
